Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
2 из 2
2 из 2
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 10
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 10
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 10 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 2 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 10 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 2 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Довгий, Я. О.
Фотокинетические явления в монокристаллах Tl3SbS3 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Довгий, Я. О.
Фотокинетические явления в монокристаллах Tl3SbS3 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Слынько, В. В.
Обнаружение магнитоупорядоченных кластеров в полумагнитных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Слынько, В. В.
Обнаружение магнитоупорядоченных кластеров в полумагнитных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Саморуков, Б. Е.
Поведение иттербия в эпитаксиальных слоях p-GaInSbAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Саморуков, Б. Е.
Поведение иттербия в эпитаксиальных слоях p-GaInSbAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Юрова, Е. С.
Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs(1-x)Px для изготовления датчиков давления / Кратк...
б.г.
ISBN отсутствует
Юрова, Е. С.
Оптимальные параметры ЭС твердого раствора GaAs(1-x)Px для изготовления датчиков давления / Кратк...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гроза, А. А.
Поведение кислорода в монокристаллическом кремнии при высокотемпературной обработке в гамма-поле ...
б.г.
ISBN отсутствует
Гроза, А. А.
Поведение кислорода в монокристаллическом кремнии при высокотемпературной обработке в гамма-поле ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Айвазов, А. А.
Термическая стабильность пленок a-Si:H, легированных азотом
б.г.
ISBN отсутствует
Айвазов, А. А.
Термическая стабильность пленок a-Si:H, легированных азотом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добрего, В. П.
Нелинейные электрические явления в сильно легированном и сильно компенсированном арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Добрего, В. П.
Нелинейные электрические явления в сильно легированном и сильно компенсированном арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Архипов, В. И.
'Вспышечная' кинетика фотостимулированного оптического поглощения в стеклообразных полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Архипов, В. И.
'Вспышечная' кинетика фотостимулированного оптического поглощения в стеклообразных полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Авруцкий, И. А.
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Авруцкий, И. А.
Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa(1-x)As/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ивченко, Е. Л.
Экситоны и примесные центры в полупроводниковой сверхрешетке в методе эффективной массы
б.г.
ISBN отсутствует
Ивченко, Е. Л.
Экситоны и примесные центры в полупроводниковой сверхрешетке в методе эффективной массы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сырбу, Н. Н.
Рассеяние света оптическими фононами в тетрагональных кристаллах ZnP2
б.г.
ISBN отсутствует
Сырбу, Н. Н.
Рассеяние света оптическими фононами в тетрагональных кристаллах ZnP2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кавокин, А. В.
Автолокализация экситона в квантовой яме с полумагнитным барьером
б.г.
ISBN отсутствует
Кавокин, А. В.
Автолокализация экситона в квантовой яме с полумагнитным барьером
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вывенко, О. Ф.
Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью теллура
б.г.
ISBN отсутствует
Вывенко, О. Ф.
Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью теллура
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Маркевич, В. П.
Влияние предварительного облучения на образование термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Маркевич, В. П.
Влияние предварительного облучения на образование термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сырбу, Н. Н.
Рамановские и инфракрасные колебательные спектры кристаллов PbGa2S4
б.г.
ISBN отсутствует
Сырбу, Н. Н.
Рамановские и инфракрасные колебательные спектры кристаллов PbGa2S4
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вуль, А. Я.
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
б.г.
ISBN отсутствует
Вуль, А. Я.
Полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs(1-x-y)SbxPy
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Малик, А. И.
Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла - фосфид галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Малик, А. И.
Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла - фосфид галлия
б.г.
ISBN отсутствует