Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бойцов, А. В. - Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
Бойцов, А. В. - Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
Статья
Автор: Бойцов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бойцов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бойцов, А. В.
Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. В. Бойцов, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 778-782 .
Бойцов, А. В.
Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. В. Бойцов, Н. А. Берт, Ю. Г. Мусихин, В. В. Чалдышев, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 778-782 .