Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Векслер, М. И. - Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной т...
Векслер, М. И. - Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной т...
Статья
Автор: Векслер, М. И.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной т...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Векслер, М. И.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной т...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Векслер, М. И.
Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика / Физика полупроводниковых приборов / М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, А. Ф. Шулекин, И. В. Грехов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 9 . – с. 1137-1143 .
Векслер, М. И.
Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика / Физика полупроводниковых приборов / М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, А. Ф. Шулекин, И. В. Грехов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 9 . – с. 1137-1143 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 9
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 40, N 9
Наука, 2006 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный