Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Чалдышев, В. В.
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. В. Чалдышев, А. Е. Куницын, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Третьяков, Н. Н. Фалеев // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 7 . – 778-781 .