Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Берт, Н. А. - Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
Берт, Н. А. - Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
Статья
Автор: Берт, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Берт, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs / Н. А. Берт, А. Л. Колесникова, В. Н. Неведомский, В. В. Преображенский, М. А. Путято, А. Е. Романов, В. М. Селезнев, Б. Р. Семягин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 . – С. 1426-1433 .
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs / Н. А. Берт, А. Л. Колесникова, В. Н. Неведомский, В. В. Преображенский, М. А. Путято, А. Е. Романов, В. М. Селезнев, Б. Р. Семягин, В. В. Чалдышев // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 . – С. 1426-1433 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 10
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 10
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный