Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 1 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 1 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Панин, А. В.
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силици...
б.г.
ISBN отсутствует
Панин, А. В.
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силици...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Роках, А. Г.
Парадоксы светопроводящей мишени и оптическое управление выходом вторичных ионов
б.г.
ISBN отсутствует
Роках, А. Г.
Парадоксы светопроводящей мишени и оптическое управление выходом вторичных ионов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голоденко, А. Б.
Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Голоденко, А. Б.
Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Корсунская, Н. Е.
Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением
б.г.
ISBN отсутствует
Корсунская, Н. Е.
Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алышев, С. В.
Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe
б.г.
ISBN отсутствует
Алышев, С. В.
Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Якушев, М. В.
Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd(1-z)Zn(z)Te методом спектральной эллипсометрии
б.г.
ISBN отсутствует
Якушев, М. В.
Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd(1-z)Zn(z)Te методом спектральной эллипсометрии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Фирсов, Д. А.
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Фирсов, Д. А.
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рудь, В. Ю.
Обнаружение твердых растворов (In2S3)x(MnIn2S4)1-x и создание фоточувствительных структур на их о...
б.г.
ISBN отсутствует
Рудь, В. Ю.
Обнаружение твердых растворов (In2S3)x(MnIn2S4)1-x и создание фоточувствительных структур на их о...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдуев, А. Х.
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Абдуев, А. Х.
Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Орлов, А. Ф.
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированно...
б.г.
ISBN отсутствует
Орлов, А. Ф.
Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированно...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бордовский, Г. А.
Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа
б.г.
ISBN отсутствует
Бордовский, Г. А.
Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа
б.г.
ISBN отсутствует