Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Векслер, М. И.
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Векслер, М. И.
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Львова, Т. В.
Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
б.г.
ISBN отсутствует
Львова, Т. В.
Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сардарлы, Р. М.
Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TiGaTe2, облученных γ-квантами
б.г.
ISBN отсутствует
Сардарлы, Р. М.
Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TiGaTe2, облученных γ-квантами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Векслер, М. И.
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Векслер, М. И.
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емельянов, В. М.
Исследования световой дегредации тандемных α-Si:H/μc-Si:H солнечных фотопреобразований
б.г.
ISBN отсутствует
Емельянов, В. М.
Исследования световой дегредации тандемных α-Si:H/μc-Si:H солнечных фотопреобразований
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Любутин, С. К.
Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде
б.г.
ISBN отсутствует
Любутин, С. К.
Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Белоненко, М. Б.
Тунельный ток контакта между графеновыми нанолентами с примесными атомами
б.г.
ISBN отсутствует
Белоненко, М. Б.
Тунельный ток контакта между графеновыми нанолентами с примесными атомами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Биленко, Д. И.
Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом
б.г.
ISBN отсутствует
Биленко, Д. И.
Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Адилов, Ш. Р.
О модели формирования поликристаллического гетероперехода n-ZnO/p-CuO
б.г.
ISBN отсутствует
Адилов, Ш. Р.
О модели формирования поликристаллического гетероперехода n-ZnO/p-CuO
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алешкин, В. Я.
Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Алешкин, В. Я.
Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Петухов, Б. В.
Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами
б.г.
ISBN отсутствует
Петухов, Б. В.
Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Батырев, А. С.
Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимостиCdS
б.г.
ISBN отсутствует
Батырев, А. С.
Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимостиCdS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Калыгина, В. М.
Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
б.г.
ISBN отсутствует
Калыгина, В. М.
Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдуллаев, Н. А.
Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi2(Te0.9Se0.1)3
б.г.
ISBN отсутствует
Абдуллаев, Н. А.
Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi2(Te0.9Se0.1)3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бондарь, И. В.
Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn2S4)1-x(In2S3)x
б.г.
ISBN отсутствует
Бондарь, И. В.
Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn2S4)1-x(In2S3)x
б.г.
ISBN отсутствует