Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Мурель, А. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Алешкин, В. Я.
Глубокие состояния в бета-легированном кремниев GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алешкин, В. Я.
Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с квантов...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в элек...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алешкин, В. Я.
Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным метод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью дельта-легирования: расчет и экспер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алешкин, В. Я.
Вольт-фарадные характеристики сверхрешеток
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Тетельбаум, Д. И.
Моделирование профилей распределения концентрации носителей тока в LOW-HIGH-переходах с промежуто...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алешкин, В. Я.
Исследование квантовых ям C-V-методом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным дел...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мурель, А. В.
Устойчивость обработанных протонами GaAs фотодетекторов к гамма-нейтронному облучению / Полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Данильцев, В. М.
Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN / Электронные и оптич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пряхин, Д. А.
Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs / Полупроводниковые структуры, границы разд...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Хрыкин, О. И.
Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мурель, А. В.
Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Востоков, Н. В.
Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Антонов, А. В.
Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мк...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N)...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дроздов, М. Н.
Фотолюминесценция с длиной волны до 1.6 мкм в квантовых точках с увеличенной эффективной толщиной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с барьером Мотта
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным дельта-легированием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, В. И.
Свойства контактов Мотта с ультрамалым барьером металл-полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мурель, А. В.
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мурель, А. В.
Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с припо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку