Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Лундин, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Емцев, В. В.
Некоторые особенности переноса основных носителей заряда в III-V-нитридах / Физические свойства и...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Соболев, Н. А.
Влияние отжига на оптические и структурные свойства GaN:Er / Семинар...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Давыдов, В. Ю.
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сошников, И. П.
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ефимов, А. Н.
К вопросу о 'необычном' азимутальном ориентационном соотношении в системе 'нитрид галлия на шпине...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Крестников, И. Л.
Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Усиков, А. С.
Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Криволапчук, В. В.
Спектры краевой фотолюминесценции и интенсивность линий внутрицентровых f-f-переходов в кристалла...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шмидт, Н. М.
Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаич...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Криволапчук, В. В.
Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN / Электронные и опт...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитак...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сошников, И. П.
Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N/GaN как дислокационных фильт...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, Д. С.
Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Смирнов, М. Б.
Колебательные спектры сверхрешеток AlN/GaN: теория и эксперимент / Низкоразмерные системы. Физика...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, Д. С.
Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN/GaN / Физика полупроводниковых ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Криволапчук, В. В.
Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Криволапчук, В. В.
Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN / Низкоразмер...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Емельянов, А. М.
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, Д. С.
Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фот...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, В. С.
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, Д. С.
Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN / Низкораз...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Усов, С. О.
Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлургических...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Усов, С. О.
Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев G...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, В. С.
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приб...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167