Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Цацульников, А. Ф.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | 3 | вперед >>

Книга (аналит. описание)
Мокеров, В. Г.
30. AlGaN/GaN-СВЧ НЕМТ-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой уси...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сахаров, А. В.
Вертикальные микрорезонаторы на 1.3 мкм с InAs/InGaAs-квантовыми точками и приборы на их основе /...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлургических...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных стру...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Васильев, Ю. Б.
Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воловик, Б. В.
Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN/GaAs, выращенных методо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев G...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ковш, А. Р.
Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекцион...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жуков, А. Е.
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства сло...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и п...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жуков, А. Е.
Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в ма...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, Д. С.
Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Брунков, П. Н.
Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au/nGaAs, содержащих слой самоорганизованных квант...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Михрин, С. С.
Высокоэффективные (этаD > 80%) длинноволновые (лямбда > 1.25 мкм) лазеры на основе квантовых точе...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитак...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Малеев, Н. А.
Гетероструктуры с несколькими слоями InAs/InGaAs-квантовых точек для источников оптического излуч...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цырлин, Г. Э.
Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек / Полупроводниковые гетероструктуры
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воловик, Б. В.
Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распа...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Идентификация каналов излучательной рекомбинации в структурах с квантовыми точками
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воловик, Б. В.
Изучение на 1.3-1.4 мкм в структурах с массивами связанных квантовых точек, выращенных методом су...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Максимов, М. В.
Инжекционный гетеролазер на квантовых точках со сверхвысокой температурной стабильностью порогово...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Жуков, А. Е.
Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матри...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Алферов, Ж. И.
Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Чжень Чжао
Исследование влияния состава и условий отжига на оптические свойства квантовых точек (In,Ga)As в ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, В. С.
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167