Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Лундин, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлургических...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных стру...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Рожавская, М. М.
Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Давыдов, В. Ю.
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев G...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соболев, Н. А.
Влияние отжига на оптические и структурные свойства GaN:Er / Семинар...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Емельянов, А. М.
Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминечценцию в сверх...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Усиков, А. С.
Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции по шлифу эпитаксиальных с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии из м...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитак...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сизов, В. С.
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крыжановская, Н. В.
Исследование оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сизов, Д. С.
Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN/GaN / Физика полупроводниковых ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сизов, Д. С.
Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фот...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ефимов, А. Н.
К вопросу о 'необычном' азимутальном ориентационном соотношении в системе 'нитрид галлия на шпине...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сизов, Д. С.
Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Смирнов, М. Б.
Колебательные спектры сверхрешеток AlN/GaN: теория и эксперимент / Низкоразмерные системы. Физика...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Композитные InGaN/GaN/InAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крестников, И. Л.
Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткоп...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Емцев, В. В.
Некоторые особенности переноса основных носителей заряда в III-V-нитридах / Физические свойства и...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сизов, Д. С.
Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN / Низкораз...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шмидт, Н. М.
Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сошников, И. П.
Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N/GaN как дислокационных фильт...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сошников, И. П.
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку