Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Цацульников, А. Ф.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
<< назад | 1 | 2 | 3

Статья
Лундин, В. В.
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлургических...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Усов, С. О.
Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев G...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Усов, С. О.
Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сизов, В. С.
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приб...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткоп...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Крыжановская, Н. В.
Исследование оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активно...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных стру...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Мокеров, В. Г.
30. AlGaN/GaN-СВЧ НЕМТ-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой уси...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Композитные InGaN/GaN/InAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Протасов, Д. Ю.
Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерными электронным газом
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Большаков, А. С.
Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167